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小弟最近研究了一下晶體後級
發現教主的MPA50X系列中
MPA502可調偏流
MPA502M2跟MPA503都鎖定在100MA

請問若要調整該從哪下手ㄋ
原文中提到:
MOSFET功率晶體偏壓電阻Rbais數值隨著使用的晶體編號有所不同：使用IR廠的IRFP240/9240時Rbais=150歐姆（C12兩端≒7.7V）；使用TOSHIBA廠的K1529/J200時Rbais=18歐姆（C12兩端≒3.7V）。這樣的偏壓設定大約會讓MOSFET靜態電流維持在100mA上下，製作時需注意

1.若要改成0.5A.以IRFP240/9240來說是不是把Rbais150/5=30就可以了ㄋ
2.若要改成限流電阻10ohm去良電壓而得知電流的話.是不是良得5V就是0.5A的偏流了媽??還是得考慮放大模組跟DC SERVO所耗的電流ㄋ?
3.新版的MPA502M2跟MPA503在偏流方面用二極體取代NPN溫度補償晶體這方面小弟在別邊都找不到參考資料..口否請高人指導..謝謝

andhow 寫:1.若要改成0.5A.以IRFP240/9240來說是不是把Rbais150/5=30就可以了ㄋ
2.若要改成限流電阻10ohm去良電壓而得知電流的話.是不是良得5V就是0.5A的偏流了媽??還是得考慮放大模組跟DC SERVO所耗的電流ㄋ?
3.新版的MPA502M2跟MPA503在偏流方面用二極體取代NPN溫度補償晶體這方面小弟在別邊都找不到參考資料..口否請高人指導..謝謝

1. Rbasic 大約在160 ohms上下, 偏壓電阻Rbais數值隨著使用的晶體有所不同。可用200ohm半VR代替。
2. 真正是要考慮放大模組跟DC SERVO所耗的電流, 但0.45A 和 0.55A 對您有何差 ?
3. Output的MOSFET 設在 正