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Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....

在音響系統上,後級的工作電壓不可能降得很低, 因為它是類比放大器,只能盡可能將工作效率提高.

後級的瓦數是因應負載(喇叭)而去選擇. 負載固定時需要足夠大的音量的瓦數也固定, 也就是輸出電壓也是固定的. 而後級的工作電壓一般上又要比輸出電壓來得高(除了橋接或平衡式的機器).
所以要降低工作電壓, 可能不是那麼簡單. 又或是改變喇叭的工作特性才比較可能.

在古代已有一種稱為 RET (Ring-Emitter Transistor) 的大功率電晶體，電氣特性優，只是以前有評論說聽感上有些 "怪怪的" 。另外，一些昂貴的超級對裝電晶體，內部構造也是採用類似的多顆並聯方式。

RET (Ring-Emitter Transistor) 的大功率電晶體
有一個重大缺點,Vbe 非常不線性.....(日製)
區線非常差

cpu 縮小製程線徑的要求
跟音響驅動電路不一樣吧 ＠＠

CPU 追求的是 穩定 > 高效能 > 低能耗 > 低成本

音響用途的大部分是考慮工作點的線性關係, 以降低失真

真的要大又體積小的話,
目前已經有很多小型化並且超低導通阻抗 0.00x ohm 的 MOSFET
其大小就是 SOIC -8 的大小.....

有的可是有 數十A 的承受能力, 很多主機板上都可以看到

也有很多模型DIY玩家, 使用於電子變速器上面 動輒 30A 的電流負載
還沒有用到大型散熱片, 不可小看哪

不過因為線性的關係大概只能用於 CLASS-D 的線路

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....

工作電壓低，意味著要達到相同的功率，會消耗更多的電流，
是好是壞就看用途。

個人以為音頻放大電路在求一定幅度的輸出擺幅，
低電壓元件實在是不合適。

Intel的high-K技術其實為了搭配metal-gate而來的，
用SiO2的年代，有極為嚴重的gate leakage，
只是想解決這問題吧

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....

45nm要用液浸對準曝光
而且正常的steper用的是五倍鏡,等於你的光罩原始線寬要225nm
225nm的光罩可能得用電子束來作會比較準,普通的便宜雷射可能不容易

假設你是最簡單的mosfet,給個假設是7道光罩
那你得有足夠的量可以開出來,承擔7道光罩的成本才行
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每道光罩要多少錢,自己去google一下就知道了
音響,很多人要求只要聽聲音不會王菲變成張菲就好