「高速」不等於「Low TIM」!!!

DIY 電子電路技術相關討論專區。

版主: Jeff, Korping_Chang

文章wensan 發表於 週四 11月 06, 2003 1:23 pm

:( 唉!人之患 在好為人師.........................................
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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wensan
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文章uuu 發表於 週四 11月 06, 2003 1:27 pm

:mad: 前輩 :mad:
柯桑
:lol: 賣ㄎㄠ我啦
wensan 寫:
mtlin12 寫:Q25、Q26是工作在active區電晶體特性曲線最彎曲的地方沒錯,但是就如切線,
它們的Vbe變化極小,應該沒有線性的問題。問問META42就知道了。

:aa: 電流放大級的「線性」應該是β值的問題吧?Vbe順向電壓的變化本來就小了啊!要不然乾脆用二極體或「稽納」?

鑽石電路Q25、Q26連帶Q21、Q20的Vbe

我用麵包板試過的結果........

一般電阻負載...Q25、Q26Vbe沒甚麼變化
隨Q21、Q20 Vbe下降一點...Q21、Q20射極電阻壓降增加

2uf PP電容負載在高頻(100Khz)方波
最大輸出時......
Q21、Q20
不過Vbe變化量=原Vbe+射極電阻壓降
Q25、Q26Ic=原設值.
Q21、Q20的Ic=0
Q21、Q20輸出波形......左邊圓化

2mH電感負載在低頻(10hz)方波
最大輸出時......
Q20、Q21
Vbe變化量=原Vbe+射極電阻壓降
Q25、Q26 Ic=原設值.
Q20、Q21的Ic=0
Q20、Q21輸出波形....示波器太爛無法調....看起來沒有變


對不起
發現有錯
我全部更改 :x :x :x
最後由 uuu 於 週四 11月 06, 2003 9:11 pm 編輯,總共編輯了 2 次。
uuu
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文章skychu 發表於 週四 11月 06, 2003 1:54 pm

mtlin12 寫:...單一級源極隨耦當做前級卻
不如理想,所以以前Ultima-1 沒有前級,直到DB架構成功。我
認為並不是失真的問題,而是討厭的MOS輸入電容難以克服,會影響速度和頻寬。


所以是我誤會Mtlin12兄的設計。在此和各位說 Sorry ! 還請見諒! :ale:

mtlin12 寫: :roll: 當然,各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級,反而先發生在電流放大級,那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。 :(
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skychu
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文章skychu 發表於 週四 11月 06, 2003 2:04 pm

mtlin12 寫:Q25、Q26是工作在active區電晶體特性曲線最彎曲的地方沒錯,但是就如切線,
它們的Vbe變化極小,應該沒有線性的問題。問問META42就知道了。


就因為Vbe的變化, 所以那些OP IC 才用Diamond buffer. :D
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文章wensan 發表於 週四 11月 06, 2003 3:32 pm

skychu 寫:
mtlin12 寫: :roll: 當然,各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級,反而先發生在電流放大級,那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。 :(

;) 對!對! 對!;)
:ho: 我要強調的就是這個!電壓放大級的偏流是6mA,工作範圍大致上是0~12mA,比Q25、Q26大6倍,呃!錯了,單差動不是互補雙差動,所以工作範圍大致上是0~6mA,比Q25、Q26大3倍,乾脆把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推。
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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Test

文章david_hsieh 發表於 週四 11月 06, 2003 4:49 pm

討論了半天,拿去儀器量一量不就知道好不好?
順便跟何博pro5.1和DZ耳擴比一比.大家會很有興趣的.
david_hsieh
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文章mtlin12 發表於 週四 11月 06, 2003 6:21 pm

skychu 寫:
mtlin12 寫: :roll: 當然,各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級,反而先發生在電流放大級,那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。 :(


澄清一下這句是wensan兄說的,他的語氣和論點與本人有些不同。 :aa:
wensan 寫:同樣是兩級射級隨偶器,小訊號模型不同嗎?

我個人的觀點是小訊號模型相同,但是一般射級隨耦電阻與恆流
源當射級隨耦特性不同。1.阻抗相差很多。2.恆流源當射級隨耦
,其電流不會隨E極電壓高低變化而不同,我想這就是DB的特點。

Q25、Q26射級隨耦阻抗高,輸入阻抗就很高,電容的效應會比較小,
各位高手的看法如何? ;)
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@世界首創 優質昇壓器結合0dB後級 即將由茂凱推出
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Re: Test

文章wensan 發表於 週四 11月 06, 2003 9:15 pm

david_hsieh 寫:討論了半天,拿去儀器量一量不就知道好不好?

:P 不!不!不!
:P 我不是想得到「測試」的結果,我是想找出正確的理論!
:P 我常覺得網路上有些「電路理論」怪怪的,對一些現象的解釋或以偏蓋全、或似是而非,所以上來「鬧一鬧」。
:P 看得懂的,可以再對這些問題作深入的思考。
:P 看不懂的,就當我是鬧場也無所謂。
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章mtlin12 發表於 週四 11月 06, 2003 10:12 pm

wensan 寫: :ho: 我要強調的就是這個!電壓放大級的偏流是6mA,工作範圍大致上是0~12mA,比Q25、Q26大6倍,呃!錯了,單差動不是互補雙差動,所以工作範圍大致上是0~6mA,比Q25、Q26大3倍,乾脆把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推。


這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的,至為寶貴,所以
我就是捨不得亂花用,這不像一般第二級設計以BJT為多,主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用,原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的,
何況是BJT的Q20、Q21 ! :ale:

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗,讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快,因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動,輸出當然是快速的。 :ya:

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構,這方面DT-01只有跟進的份。 :eeh:
但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構,恐怕是DB-01跑第一?! :ya:

我會仔細瞧瞧別人的設計,免得自爽的太早。 :ho: :ho: :ho:
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文章uuu 發表於 週四 11月 06, 2003 11:01 pm

mtlin12 寫:
wensan 寫: :ho: 我要強調的就是這個!電壓放大級的偏流是6mA,工作範圍大致上是0~12mA,比Q25、Q26大6倍,呃!錯了,單差動不是互補雙差動,所以工作範圍大致上是0~6mA,比Q25、Q26大3倍,乾脆把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推。


這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的,至為寶貴,所以
我就是捨不得亂花用,這不像一般第二級設計以BJT為多,主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用,原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的,
何況是BJT的Q20、Q21 ! :ale:

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗,讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快,因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動,輸出當然是快速的。 :ya:

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構,這方面DT-01只有跟進的份。 :eeh:
但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構,恐怕是DB-01跑第一?! :ya:

我會仔細瞧瞧別人的設計,免得自爽的太早。 :ho: :ho: :ho:


不如PCB拿來.........要青菜要豆腐自己變
:ya:
uuu
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文章mtlin12 發表於 週四 11月 06, 2003 11:32 pm

Sorry,PCB是DZ要"賣"的,我沒有賣。
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 2:21 am

mtlin12 寫:
wensan 寫: :ho: 我要強調的就是這個!電壓放大級的偏流是6mA,工作範圍大致上是0~12mA,比Q25、Q26大6倍,呃!錯了,單差動不是互補雙差動,所以工作範圍大致上是0~6mA,比Q25、Q26大3倍,乾脆把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推。


這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的,至為寶貴,所以
我就是捨不得亂花用,這不像一般第二級設計以BJT為多,主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用,原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的,
何況是BJT的Q20、Q21 ! :ale:

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗,讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快,因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動,輸出當然是快速的。 :ya:

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構,這方面DT-01只有跟進的份。 :eeh:
但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構,恐怕是DB-01跑第一?! :ya:

我會仔細瞧瞧別人的設計,免得自爽的太早。 :ho: :ho: :ho:

:ho: 哈哈!晚輩就怕前輩您不想比速度!
8) skychu大大似乎很懷疑DB-01把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,迴轉率會比較高。不如我們先撇開增益、頻率響應、失真....等等,單就迴轉率來討論,把問題釐清楚,免得skychu大大把問題憋在心理,憋出毛病來。
:P 有很多人在談迴轉率時,會把頻率響應、頻寬扯進來,其實放大器的迴轉率跟頻率響應、小訊號頻寬沒有直接的關係,要扯頂多扯到「功率頻寬」,也就是放大器在大訊號輸出時,受迴轉率過荷限制的頻寬。「功率頻寬」可能比「小訊號頻寬」寬,也可能比「小訊號頻寬」窄,並不一定。甚至還可以分5V輸出的功率頻寬、10V輸出的功率頻寬......。
;) 要談迴轉率其實談的是電容的充放電!而且電容是無處不在的,任何導體間都有電容存在。電路有雜散電容、電晶體有極際電容,就算不使用「靜電式耳機」或「電容式耳機」,光是耳機線也有電容。
:roll: 而DB-01的Q25、Q26要對什麼電容充放電呢?除了雜散電容、本身的極際電容、Q20、Q21的極際電容外,還有負載電容透過Q20、Q21的基極反映出的等效電容。
:o 但DB-01的電路接法,Q25、Q26有多少能力對這些電容充電呢?因為它是NPN推PNP、PNP推NPN的架構,當推動的晶體導通的越多,被推動的輸出晶體就越趨向截止。當推動的晶體越趨向截止,被推動的輸出晶體就導通的越多。前後的動作相反。可是前後只要有一方截止就不能工作了啊!因此Q25、Q26只能在2mA的範圍變化,對這些電容的最大充電能力只有2mA。
:ho: 但是如果把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,電壓放大級有多少能力對這些電容充電呢?有6mA耶!
:D 所以不談增益、頻率響應、失真....等等,單就迴轉率來討論,Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,迴轉率的確會比較高。
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 9:52 am

wensan 寫: :ho: 哈哈!晚輩就怕前輩您不想比速度!
8) skychu大大似乎很懷疑DB-01把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,迴轉率會比較高。不如我們先撇開增益、頻率響應、失真....等等,單就迴轉率來討論,把問題釐清楚,免得skychu大大把問題憋在心理,憋出毛病來。
:P 有很多人在談迴轉率時,會把頻率響應、頻寬扯進來,其實放大器的迴轉率跟頻率響應、小訊號頻寬沒有直接的關係,要扯頂多扯到「功率頻寬」,也就是放大器在大訊號輸出時,受迴轉率過荷限制的頻寬。「功率頻寬」可能比「小訊號頻寬」寬,也可能比「小訊號頻寬」窄,並不一定。甚至還可以分5V輸出的功率頻寬、10V輸出的功率頻寬......。
;) 要談迴轉率其實談的是電容的充放電!而且電容是無處不在的,任何導體間都有電容存在。電路有雜散電容、電晶體有極際電容,就算不使用「靜電式耳機」或「電容式耳機」,光是耳機線也有電容。
:roll: 而DB-01的Q25、Q26要對什麼電容充放電呢?除了雜散電容、本身的極際電容、Q20、Q21的極際電容外,還有負載電容透過Q20、Q21的基極反映出的等效電容。
:o 但DB-01的電路接法,Q25、Q26有多少能力對這些電容充電呢?因為它是NPN推PNP、PNP推NPN的架構,當推動的晶體導通的越多,被推動的輸出晶體就越趨向截止。當推動的晶體越趨向截止,被推動的輸出晶體就導通的越多。前後的動作相反。可是前後只要有一方截止就不能工作了啊!因此Q25、Q26只能在2mA的範圍變化,對這些電容的最大充電能力只有2mA。
:ho: 但是如果把Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,電壓放大級有多少能力對這些電容充電呢?有6mA耶!
:D 所以不談增益、頻率響應、失真....等等,單就迴轉率來討論,Q25、Q26拿掉,直接用電壓放大級來推,迴轉率的確會比較高。


對不起,wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。 :lol:
因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解,用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417,
原書雖然沒有說明是OP-37,但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計,您知道它的DB恆流源
沒有2mA那麼高,只有上260uA、下340uA (因β值不同) :mad:

但是OP-37的slew rate就高達17V/us! :o
以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC),這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導,OP IC或current buffer很多會陣亡的,
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!? :aa:
http://homepage19.seed.net.tw/web@3/asaas/default.htm

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文章skyboat 發表於 週五 11月 07, 2003 10:57 am

mtlin12 寫:對不起,wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。 :lol:
因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解,用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417,
原書雖然沒有說明是OP-37,但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計,您知道它的DB恆流源
沒有2mA那麼高,只有上260uA、下340uA (因β值不同) :mad:

但是OP-37的slew rate就高達17V/us! :o
以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC),這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導,OP IC或current buffer很多會陣亡的,
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!? :aa:


忽略了 OP-37、BUF634 等的負載測試條件(RL),光是比較 Slew Rate 數據似乎不妥!
RL≧600Ω,260μA 對 OP-37 的最末級而言,好像蠻夠的耶!
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飛船老師
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 11:22 am

mtlin12 寫:對不起,wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。 :lol:
因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解,用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417,
原書雖然沒有說明是OP-37,但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計,您知道它的DB恆流源
沒有2mA那麼高,只有上260uA、下340uA (因β值不同) :mad:

但是OP-37的slew rate就高達17V/us! :o
以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC),這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導,OP IC或current buffer很多會陣亡的,
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!? :aa:

8) 晚輩再次強調,迴轉率的問題就是電容的充放電的問題!
:P 如果充放電的電流小,但被充放電的電容更小,迴轉率還是可以提高啊!
:P OP-37整個Dice的總電容搞不好比功率晶體的極際電容還小。
:roll: BUF634是Buffer Amplifier,不是OP,它只做電流放大緩衝,根本沒有電壓增益,Slew Rate達到2000V/uS很平常啊!說個誇張一點的,您把Buffer Amplifier的輸入、輸出短路起來,只要您的訊號產生器輸出能力夠強,您要測到多高的Slew Rate不是都可以嗎?
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 11:43 am

如果是因為功率晶體的極間電容大的關係,那麼可以用同樣製程
的SMD IC當功率晶體呀! wensan兄您還是執著於錯誤的方向! :lol:
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 11:51 am

還有DB-01的輸出就是用分離式元件模擬BUF634當current buffer用,
速度會較慢的因素絕非Q25、Q26的2mA造成的。而是第一、第二級
JFET放大級的原故,wensan兄這您也是執著於錯誤的方向!
:lol:
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 12:00 pm

mtlin12 寫:如果是因為功率晶體的極間電容大的關係,那麼可以用同樣製程
的SMD IC當功率晶體呀! wensan兄您還是執著於錯誤的方向! :lol:

:P 晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小,晚輩討論的是同樣的充放電電容,到底是大電流充放電時迴轉率較高,還是小電流充放電時迴轉率較高?(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 12:01 pm

skyboat 寫:忽略了 OP-37、BUF634 等的負載測試條件(RL),光是比較 Slew Rate 數據似乎不妥!
RL≧600Ω,260μA 對 OP-37 的最末級而言,好像蠻夠的耶!


BUF634 的datasheet: 20Vp-p RL=100Ω slew rate=2000V/uS typ.
對於耳放而言絕對足夠!
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 12:02 pm

mtlin12 寫:wensan兄這您也是執著於錯誤的方向!
:lol:

;) 前輩.....,不要用「詭辯學」的下毒伎倆喔!
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 12:12 pm

wensan 寫: :P 晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小,晚輩討論的是同樣的充放電電容,到底是大電流充放電時迴轉率較高,還是小電流充放電時迴轉率較高?(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)

1.那DB-01就得改名不能叫做"鑽石前級"了! :ho: :ho:

2.您若有機會試驗一下,我的看法是SPEC不會很好,DT-01改
為DB-01花了我6個月時間。 :eeh:
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 07, 2003 12:24 pm

[quote="wensan]
;) 前輩.....,不要用「詭辯學」的下毒伎倆喔![/quote]

當然不是用「詭辯學」的下毒伎倆,否則HEAD-FI不會將DB置頂討論!
http://www4.head-fi.org/forums/showthread.php?s=da2937f82026a02df517a6892a9a3b03&threadid=48270

不敢說是提示方向,而是您可以思考一下如果極間電容根本很少
充放電時將會如何? :ale:
http://homepage19.seed.net.tw/web@3/asaas/default.htm

@世界首創 優質昇壓器結合0dB後級 即將由茂凱推出
mtlin12
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文章uuu 發表於 週五 11月 07, 2003 1:22 pm

:eeh: mtlin12啊!
4顆晶體的運用時
不要執著於Q25、Q26的.....2mA
這控制著Q20、Q21輸出的電流能用的數值啊!
真的可以再提高至6mA以上來獲得更多推動餘裕和S\R
不夠的加強不就好啦! :bs:

各位用BUF634來看(提供電路分析的等效圖也不完整)
只能看到它提供一個BW
來調整相當於Q25、Q26的推動電流
是看不到Vbe導通SR解決方式和相關推動電流對策
不如參考AD BUF04 p.9 fig.29
http://www.analog.com/UploadedFiles/Obsolete_Data_Sheets/820549BUF04.pdf
這些有較為完整的說明和解決方式.....

泥們兩個要的
AD BUF04全打包啦 :ya:
Q25、Q26不會是魂斷處會是新起點的 ;)
uuu
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 2:03 pm

mtlin12 寫:
wensan 寫: :P 晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小,晚輩討論的是同樣的充放電電容,到底是大電流充放電時迴轉率較高,還是小電流充放電時迴轉率較高?(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)

1.那DB-01就得改名不能叫做"鑽石前級"了! :ho: :ho:

2.您若有機會試驗一下,我的看法是SPEC不會很好,DT-01改
為DB-01花了我6個月時間。 :eeh:

8) 晚輩是在做「電路分析」,不是在玩音響。
8) 既然是比「迴轉率」,贏100V/uS是贏,贏0.01V/uS還是贏!





:ho: :ho: :ho: 在電路板上鑲顆鑽石就可以叫「鑽石」前級了啊!「銀子」跟「奇檬子」可以平衡就行了!
最後由 wensan 於 週五 11月 07, 2003 3:17 pm 編輯,總共編輯了 1 次。
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章wensan 發表於 週五 11月 07, 2003 2:49 pm

:D 好了!好了!玩夠了!
:P 再玩下去就會出事情。
:roll: 在被一堆人追殺之前,我還是三十六計、走為上策。
:ho: 各位Bye-Bye!我先溜囉!







;) uuu前輩,晚輩「鬧場」的功力與您比之如何?
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