瑞典人Peranders的SMD DB多快呀!

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版主: Jeff, Korping_Chang

文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 3:18 pm

可是該地的電位參考點是乎應該是V1?
http://homepage19.seed.net.tw/web@3/asaas/default.htm

@世界首創 優質昇壓器結合0dB後級 即將由茂凱推出
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文章wensan 發表於 週一 11月 24, 2003 3:28 pm

mtlin12 寫:可是該地的電位參考點是乎應該是V1?

:eeh: 您要用示波器量Q2的Vbe時,是不是要把示波器跟電路隔離絕緣,再把示波器的GND接Q2的E極,把探棒接在Q2的B極!? :eeh: :eeh: :eeh: :eeh: :eeh:
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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wensan
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 3:34 pm

uuu兄量過,我沒有,問題是如果該點為0 GND,Q1,Q2動作應該是
不正常的。
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文章wensan 發表於 週一 11月 24, 2003 3:42 pm

mtlin12 寫:uuu兄量過,我沒有,問題是如果該點為0 GND,Q1,Q2動作應該是
不正常的。

:mad: 「電位差」是「相對」的! :mad: :mad: :mad:

:mad: :mad: :mad: 連這種「基本電學」最基本的概念都沒有!救命啊!!!!!!!!!! :mad: :mad: :mad:
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 4:18 pm

可是您模擬出來的Q1,Q2動作確實有問題阿!
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 4:30 pm

算了,我來說那點的電位給大家評評理:

2N5401 E極旁邊那點正確的電壓是=(Q1的)Vbe+Vin,
是隨Vin電壓而浮動的,Vout=(Q1的)Vbe+Vin-(Q2的)be-0.3V
~=Vin-0.3V。
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文章kvl 發表於 週一 11月 24, 2003 5:41 pm

最新模擬結果:

DB的Q25、Q26與LOW-TIM一樣會進入截止區,如果接2u純電
容負載(輸入100KHZ方波),可以明顯看出DB需要更長的充電時
間,這可能就是DB比較慢的原因。抱歉我不會貼圖。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 6:18 pm

kvl 寫:最新模擬結果:

DB的Q25、Q26與LOW-TIM一樣會進入截止區,如果接2u純電
容負載(輸入100KHZ方波),可以明顯看出DB需要更長的充電時
間,這可能就是DB比較慢的原因。抱歉我不會貼圖。

要DB的Q25、Q26進入截止區,Vin的幅度已經相當之大,接近
+/-四十幾V了。

還有LOW-TIM的電路模型是乎有問題,Vin上下各自有+/-1.5V
的偏壓使Q25、Q26處於active狀態,但是實際情況應該是Vin
及Vin-3V才是真正Q25、Q26的輸入,要上下各自有+/-1.5V的
偏壓,除非上下各有一個真實而浮動的偏壓 or 由上下各有一個恆流源
推動上下各兩個diode,跟隨Vin一起浮動?!
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文章gwliao 發表於 週二 11月 25, 2003 3:58 am

說錯了,
Linux is only free if your time has no value !!
--Jamie Zawinski
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文章kvl 發表於 週二 11月 25, 2003 8:14 am

描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源,其餘與DB-01一樣,訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源,
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源,供電為+-24V,第一級電流均為2mA。
當輸入1V時,差距有限,但輸入5V時,明顯看出DB充電時間較
長,差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區,即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的,但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同,但得到相同的結論--Q25、26會截
止,所以您的立論恐怕是有問題的。
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文章skychu 發表於 週二 11月 25, 2003 12:02 pm

wensan 寫:圖檔
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:eeh: Diamond Buffer前後電晶體交替逆偏!


抱歉 ! 那兩紅, 綠線 各是那兩點的電壓 ?
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文章skychu 發表於 週二 11月 25, 2003 12:06 pm

kvl 寫:描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源,其餘與DB-01一樣,訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源,
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源,供電為+-24V,第一級電流均為2mA。
當輸入1V時,差距有限,但輸入5V時,明顯看出DB充電時間較
長,差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區,即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的,但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同,但得到相同的結論--Q25、26會截
止,所以您的立論恐怕是有問題的。

抱歉 ! Q25, Q26 是那一級 ? 文山兄的圖只有Q1 ~ Q5.
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文章kvl 發表於 週二 11月 25, 2003 12:25 pm

圖中的Q2、Q4,Q25、Q26是DB-01原圖的標示。
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文章wensan 發表於 週二 11月 25, 2003 12:25 pm

圖檔
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:o 座標下方有標示紅線是什麼、綠線是什麼。
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 8:30 am

kvl 寫:描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源,其餘與DB-01一樣,訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源,
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源,供電為+-24V,第一級電流均為2mA。
當輸入1V時,差距有限,但輸入5V時,明顯看出DB充電時間較
長,差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區,即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的,但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
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止,所以您的立論恐怕是有問題的。


kvl兄:
基本上Low TIM根本沒有以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源
這已經是diamond buffer最基本形式了,試問Low TIM是如何創造出偏壓? 無論
輸入如何都可令Q25、Q26導通,我想絕非Idea的2mA電流源,依然有上下波
問題不是嗎?
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 9:32 am

我真的搞不清楚您在說什麼?

偏壓可以用不同的方式,用1N4148跟用一個晶體有什麼不同嗎?
這是一般前級常用的架構,您看過的電路可能太少了吧?

把2mA電流源換成兩個10K電阻,結果還是一樣啊!
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 9:46 am

KVL兄,
1.若沒有偏壓時,DB和Low TIM就會有不同,對不對?

2.若是用兩個10K電阻而非2mA電流,對非idea的 Vin是否有影響?
 我是指用電阻是否會改變前一級的Loading,否則buffer IC這樣設計
 不是簡單多了!

3.1N4148與用一個晶體沒有太多不同,只是看起來比較簡單。
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